无锡麟力科技有限公司 main business:集成电路及机电产品的设计、制造、销售、技术咨询；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云3座.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 320205000188847
- 在业
- 有限责任公司（法人独资）
- 2013年03月12日
- 黄年亚
- 1000万元人民币
- 2013年03月12日 至 永久
- 无锡市锡山区市场监督管理局
- 2015年03月16日
- 无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云3座
- 集成电路及机电产品的设计、制造、销售、技术咨询；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 13359243 |  |
N | 2013-10-14 | 印刷电路;集成电路;芯片(集成电路);晶体管(电子);发射管;超高频管;半导体器件;传感器;稳压电源;半导体; | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105958821A | DPFM升压系统、升压方法和家用电源电器 | 2016.09.21 | 本发明公开了DPFM升压系统、升压方法和家用电源电器，其主要包括驱动电路、BUF电路、PFM控制电路 |
| 2 | CN206098383U | 一种基于通用ESOP8引线框架的多芯片封装结构 | 2017.04.12 | 本实用新型公开了一种基于通用ESOP8引线框架的多芯片封装结构，包括ESOP8引线框架基岛，所述ES |
| 3 | CN205754257U | 一种霍尔开关失调电压消除电路 | 2016.11.30 | 本实用新型提出了一种霍尔开关失调电压消除电路，包括霍尔感应区，所述霍尔感应区接入恒流电流，所述霍尔感 |
| 4 | CN205681313U | DPFM升压系统和家用电源电器 | 2016.11.09 | 本实用新型公开了DPFM升压系统和家用电源电器，其主要包括驱动电路、BUF电路、PFM控制电路、比较 |
| 5 | CN205609510U | 一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构 | 2016.09.28 | 本实用新型公开了一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构，包括SOT23通用引线框架，所述S |
| 6 | CN205564740U | 一种多芯片3D封装结构 | 2016.09.07 | 本实用新型公开了一种多芯片3D封装结构，包括塑封体(40)，该塑封体(40)内封装有框架基岛(41) |
| 7 | CN105932005A | 一种基于通用ESOP8引线框架的多芯片封装结构 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种基于通用ESOP8引线框架的多芯片封装结构，包括ESOP8引线框架基岛，所述ESOP |
| 8 | CN105870096A | 一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构，包括SOT23通用引线框架，所述SOT |
| 9 | CN105870115A | 一种多芯片3D封装结构 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种多芯片3D封装结构，包括塑封体(40)，该塑封体(40)内封装有框架基岛(41)，该 |
| 10 | CN105845633A | 一种多芯片3D封装工艺 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种多芯片3D封装工艺，包括如下步骤：a)使用Bumping工艺在功率芯片的正面生长多个 |
| 11 | CN205452272U | 一种引线框架 | 2016.08.10 | 本实用新型公开了一种引线框架，包括引线框架基岛，所述引线框架基岛上涂覆有基岛绝缘镀层，所述基岛绝缘镀 |
| 12 | CN205302069U | 一种可任意低压输出的基准源 | 2016.06.08 | 本实用新型公开了一种可任意低压输出的基准源，包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NM |
| 13 | CN105320202A | 一种可任意低压输出的基准源 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种可任意低压输出的基准源，包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS |
| 14 | CN105305975A | 一种Class D音频功率放大器温度保护调制电路 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种Class D音频功率放大器温度保护调制电路，包括电阻R，VIN，VOUT，三角波V |
| 15 | CN105305396A | 一种具有防反接保护集成电路的ESD | 2016.02.03 | 本发明公开了一种具有防反接保护集成电路的ESD，包括比较器2，二极管D2，电阻R3及内部本身就具有的 |
| 16 | CN105281390A | 一种二合一移动电源单电感的新型结构 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种二合一移动电源单电感的新型结构，其特征在于：包括充电用PMOSFET、放电用PMOS |
| 17 | CN105282910A | 一种新型LED按键调光技术 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种新型LED按键调光技术，包括集成电路，所述集成电路内部设有钳位二极管、欠压保护模块) |
| 18 | CN105278607A | 一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种应用于大电流稳压器和充电器中的温度线性补偿电路，包括PMOSFET和NMOSFET， |
| 19 | CN204046156U | 一种具有防反接保护集成电路的ESD | 2014.12.24 | 本实用新型公开了一种具有防反接保护集成电路的ESD，包括比较器2，二极管D2，电阻R3及内部本身就具 |
| 20 | CN204031074U | 一种Class D音频功率放大器温度保护调制电路 | 2014.12.17 | 本实用新型公开了一种Class D音频功率放大器温度保护调制电路，包括电阻R，VIN，VOUT，三角 |
Map(The red dot in the figure below is 无锡麟力科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
猜你喜欢